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三极管可以并联使用以扩大电流容量，也可以组成达林顿管的形式来提高三极管的增益。DB681是一款NPN型的达林顿管，它是由两个NPN三极管组成，***个三极管的发射极连接到弟二级三极管的基极。其中还集成有两个三极管的Rbe电阻。它的耐压为：Vceo=100V。BD681达林顿三极管下面是测量BD681的C、E之间的击穿电压电流曲线，可以看到这款达林顿三极管的实际Vceo为190V。NPN型达林顿三极管BD681的C、E击穿电压电流曲线DB682是一款PNP型号达林顿管，通常与BD681组成互补桥电路功率输出。它的C、E之间的击穿电压电流曲线如下图所示：PNP型达林顿三极管BD682C、E击穿电压电流曲线测量PNP型半导体三极管的发射极和集电极的反向电阻值。深圳市凯轩业电子科技有限公司。深圳MOS二极管
刚才说了电流放大是晶体三极管的作用，其实质是三极管能以基极电流微小的变化量来控制集电极电流较大的变化量。这是三极管是基本的和重要的特性。电流放大倍数对于某一只三极管来说是一个定值，但随着三极管工作时基极电流的变化也会有一定的改变。 当三极管的基极上加一个微小的电流时，在集电极上可以得到一个是注入电流β倍的电流，即集电极电流。集电极电流随基极电流的变化而变化，并且基极电流很小的变化可以引起集电极电流很大的变化，这就是三极管的放大作用。深圳三极管晶体管，本名是半导体三极管，是内部含有两个PN结，外部通常为三个引出电极的半导体器件。
3．反向击穿电压的检测二极管反向击穿电压（耐压值）可以用晶体管直流参数测试表测量。其方法是：测量二极管时，应将测试表的“NPN/PNP”选择键设置为NPN状态，再将被测二极管的正极接测试表的“C”插孔内，负极插入测试表的“e”插孔，然后按下“V（BR）”键，测试表即可指示出二极管的反向击穿电压值。也可用兆欧表和万用表来测量二极管的反向击穿电压、测量时被测二极管的负极与兆欧表的正极相接，将二极管的正极与兆欧表的负极相连，同时用万用表（置于合适的直流电压档）监测二极管两端的电压。如图4-71所示，摇动兆欧表手柄（应由慢逐渐加快），待二极管两端电压稳定而不再上升时，此电压值即是二极管的反向击穿电压。
场效应管(MOS管)1、场效应管英文缩写：FET(Field-effecttransistor)2、场效应管分类：结型场效应管和绝缘栅型场效应管3、场效应管电路符号：4、场效应管的三个引脚分别表示为:G(栅极),D(漏极),S(源极)注：场效应管属于电压控制型元件，又利用多子导电故称单极型元件，且具有输入电阻高，噪声小，功耗低，无二次击穿现象等优点。5、场效应晶体管的优点：具有较高输入电阻高、输入电流低于零，几乎不向信号源吸取电流，在在基极注入电流的大小，直接影响集电极电流的大小，利用输出电流控制输出电源的半导体。正、反向电阻值的测量用万用表R×1k或R×10k档，测量双向触发二极管正、反向电阻值。
肖特基二极管的检测二端型肖特基二极管可以用万用表R×1档测量。正常时，其正向电阻值（黑表笔接正极）为Ω，投向电阻值为无穷大。若测得正、反电阻值均为无穷大或均接近0，则说明该二极管已开路或击穿损坏。三端型肖特基二极管应先测出其公共端，判别出共阴对管，还是共阳对管，然后再分别测量两个二极管的正、反向电阻值。变阻二极管的检测用万用表R×10k档测量变阻二极管的正、反向电阻值，正常的高频变阻二极管的正向电阻值（黑表笔接正极时）为Ω，反向电阻值为无穷大。若测得其正、反向电阻值均很小或均为无穷大，则说明被测变阻二极管已损坏。快恢复二极管在制造工艺上采用掺金，单纯的扩散等工艺，可获得较高的开关速度，同时也能得到较高的耐压。深圳三极管
若稳压二极管的稳压值高于15V，则应将稳压电源调至20V以上。深圳MOS二极管
S8050是一款NPN小功率三极管，数据手册上给出的Vceo大约为25V，Vcbo为40V，而Vebo只有6V。下面是测量一个实际S8050三级的Vceo,Vcbo的反向击穿电压电流曲线：S8050Vceo:大约45VS8050Vcbo:大约115V可以看出Vcbo比Vceo大了将近三倍。如果但但从三极管的符号上来看，这个结果的确非常令人难以理解。因为Vcbo是测量集电极到基极之间的PN节反向击穿电压；Vceo看似是在C、B之间增加了一个B、E的正向导通的PN节，为何Vceo反而比Vcbo小了那么多呢？具体原因就不再这儿展开讨论了。如果你感兴趣可以参见相关资料来进行分析。通常情况下，三极管都是工作了电路中，不会有任何一个电极是悬空的。此时，三极管的耐压就和手册给定的击穿电压不同。下面是在B、E之间连接一个偏置电阻，重新测量C、E之间的击穿电压。深圳MOS二极管
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